Este lunes, la empresa tecnológica Intel Foundry presentó una serie de avances que ayudarán a revolucionar la industria de los semiconductores, entre los que se encuentra el rutenio sustractivo (Ru), un nuevo material destinado a mejorar tanto el rendimiento como las interconexiones de los chips.
En el marco del evento International Electron Devices Meeting 2024 (IEDM), la división de fundición de la firma estadounidense explicó que este elemento de metalización alternativo será clave para revolver las limitaciones previstas de los actuales conectores de cobre para el escalado de interconexiones en futuros nodos, destinadas a mejorar las técnicas de ensablaje existentes.
Y es que el Ru utiliza resistividad de película fina con entrehierros para ofrecer un avance significativo en este rubro.
“Al implementar este conjunto de materiales, se ha reducido hasta en un 25% la capacitación de línea a línea en pasos inferiores o iguales a 25 nanómetros”, reveló Intel Foundry.
“Esto ilustra las ventajas del Ru sustractivo como esquema de metalización para sustituir el demasquinado de cobre en capas de paso estrecho”, subrayó.