IBM y Samsung anunciaron su último avance en el diseño de chips: una nueva forma de apilar transitores verticalmente en un semiconductor, en lugar de colocarlos sobre la superficie de un chip.
El nuevo diseño de transitores de efecto de campo de transporte vertical (VTFET) está destinado a ser el sucesor de la tecnología FinFET actual, que se utiliza para algunos de los chips más avanzados, y podría permitir circuitos integrados con una mayor densidad de transitores que en la actualidad.
Técnicamente hablando, el VTFET apilaría transitores de manera vertical, lo que provocaría que la corriente fluya hacia arriba y hacia abajo por la pila de transitores en lugar del diseño horizontal, de lado a lado, que se usa hoy en día en la mayoría de los chips.
Si bien ambas empresas señalaron que los diseños VTFET aún están muy lejos de utilizarse en chips de consumo diario, tanto IBM como Samsung explicaron que estos circuitos integrados ofrecerán “una mejora dos veces mayor en el rendimiento” e incluso, “una reducción del 85% en el uso de energía” en comparación con los diseños FinFet.